Спирали роста

Тончайшие скульптурные образования на гранях кристаллов, по которым происходит нарастание вещества. В центре спирали роста обычно находится некоторый дефект в виде незначительного смещения мельчайших участков кристалла друг относительно друга (винтовая дислокация). Это явление легло в основу теории несовершенного роста кристаллов — теории дислокаций (Barton, Cabrera, Franke, 1949).

Современный контекст

Теория дислокационного роста кристаллов, впервые предложенная Фрэнком (1949) и развитая Бертоном и Кабрерой (1951), остаётся фундаментальной для минералогии и материаловедения. Современные исследования с использованием атомно-силовой микроскопии (АСМ) и сканирующей электронной микроскопии (СЭМ) подтвердили механизм образования спиралей роста при низких пересыщениях раствора. В 2010–2020-х годах получены данные о формировании спиралей роста в синтетических кристаллах, в том числе в полупроводниковых материалах (например, GaN), что расширило область применения классической теории.