Теория роста кристаллов дислокационная

Синоним: см. Теория дислокаций в кристаллах.

Краткое описание: дислокационная теория роста кристаллов объясняет механизм роста реальных кристаллов через движение и размножение дефектов кристаллической решётки — дислокаций. Согласно этой теории, на поверхности растущего кристалла ступеньки, создаваемые выходами винтовых дислокаций, служат энергетически выгодными местами присоединения новых атомов или молекул. Это позволяет кристаллу расти при низких пересыщениях, без необходимости образования двумерных зародышей. Основы теории были заложены Ф. Фрэнком (1949) и развиты У. Бёртоном, Н. Кабрерой и Ф. Фрэнком (модель БКФ).