Рост кристалла

Процесс разрастания кристалла. Происходит в насыщенном растворе, расплаве, газообразной или твёрдой среде в основном за счёт новых слоёв вещества, откладывающихся на гранях кристаллического многогранника. Это явление усложняется наличием спиралей роста, связанных с дефектами кристалла. В вязких и загрязнённых средах возникают усложнённые формы роста — скелетные кристаллы и антискелетные (см. Антискелеты кристаллические).

Согласно теории совершенного роста идеального кристалла (Коссель, 1927; Странский, 1928), новые частицы присоединяются к растущему кристаллу так, чтобы при этом выделялась наибольшая энергия. С наибольшей долей вероятности такие частицы будут привлекаться во входящие углы. Соответственно на кристалле не должно образовываться нового слоя до тех пор, пока растущий слой целиком не покроет грани кристалла. В результате возникает идеально образованный кристалл в виде выпуклого многогранника с плоскими гранями.

Современный контекст

Современные методы исследований, включая атомно-силовую микроскопию и компьютерное моделирование, подтвердили, что реальный рост кристаллов происходит с участием дислокаций и дефектов (теория дислокаций в кристаллах, Фрак, 1949). Также установлено, что спиральный рост (винтовые дислокации) существенно ускоряет процесс кристаллизации по сравнению с идеальной моделью Косселя — Странского.