Теории роста кристаллов диффузионные

Диффузионные теории роста кристаллов основаны на закономерном различии концентрации вещества в одной и той же среде, питающей растущий кристалл. Это различие обеспечивает движение атомов — диффузию из области с наибольшей концентрацией вещества через слой с наименьшей концентрацией к грани кристалла.

Современный контекст

На сегодняшний день диффузионные модели роста кристаллов дополнены современными данными о роли поверхностной диффузии, адсорбции и десорбции атомов на растущих гранях (источники: обзоры по кристаллогенезису, 2000–2020-е годы). Использование методов молекулярной динамики и численного моделирования позволило уточнить кинетику процессов, особенно в условиях неравновесной кристаллизации, например, в магматических и гидротермальных системах.