Закон Браве

Закон Браве — правило, по которому на поверхности кристаллов преобладают грани, имеющие наиболее плотные плоские сетки. Таким образом, морфология кристалла определяется его внутренней структурой: чем выше ретикулярная плотность сетки, тем больше её вклад в облик кристалла.

Современный контекст

Закон Браве (сформулирован в XIX веке О. Браве) остаётся фундаментальным принципом кристаллографии, однако в современных учебниках и монографиях (например, в изданиях по структурной минералогии, 2020-е гг.) его обычно дополняют законом Доннея — Харкера, учитывающим симметрию решётки и химический состав. С развитием методов ГИС и компьютерного моделирования (например, программ WinXMorph, VESTA) стало возможным точное прогнозирование форм кристаллов, подтверждающее положения закона.