Дислокации в кристаллах

Дислокации в кристаллах — линейные участки кристаллических структур, в которых атомы или ионы в своём взаимном расположении отклоняются от геометрической закономерности идеальной решётки. Подразделяются на краевые и винтовые. Дислокации влияют на физические свойства кристаллов (электрическую проводимость, магнитное сопротивление, теплопроводность и другие). Выявление дислокаций осуществляется посредством термического, химического, электролитического травления, декорирования (введения примесей, осаждающихся на дислокациях), электронной микроскопии и других методов. На основе учения о дислокациях в кристаллах создана теория роста несовершенных кристаллов (Бартон, Кабрера, Франк, 1949).