Дисперсия положения главных осей индикатрисы (биссектрис)

Некоторое различие в положении осей оптической индикатрисы относительно кристаллографических элементов для света с разной длиной волны. Данное явление свойственно только кристаллам моноклинной и триклинной сингоний.

• В моноклинной сингонии дисперсия положения главных осей индикатрисы выражается в изменении угла между оптическими элементами (осями [100] или [001]) и элементами индикатрисы, которые лежат в плоскости (010). В этом случае диспергируют лишь две оси индикатрисы.
• В триклинной сингонии возможна дисперсия всех трёх осей индикатрисы. Проявляется в неполном погасании кристалла при вращении столика микроскопа между скрещенными николями.

Для моноклинной сингонии различают дисперсию наклонную, горизонтальную и перекрещенную.